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北京金盛微納科技有限公司
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本產品通過物理與化學相結合的方法，對很細的線條（亞微米以下）進行刻蝕以形成精細的圖形
本產品通過物理與化學相結合的方法，對很細的線條（亞微米以下）進行刻蝕以形成精細的圖形。
詳細描述
本設備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復性好、性價比較高等特點。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造。
產品主要性能指標
型號 | RIE-3 |
真空系統 | 分子泵機組 |
刻蝕室數量 | 單室 |
刻蝕室規格 | ?300×100mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關） |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
操作方式 | 手動 |
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