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北京金盛微納科技有限公司
詳細描述本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣
詳細描述
本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領域的器件研發和制造。
產品主要性能指標
型號 | ICP-2B |
真空系統 | 分子泵機組 |
刻蝕室數量 | 單室 |
刻蝕室規格 | ?300×280mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | ~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
深硅刻蝕控制單元 | 可選 |
操作方式 | 手動 |
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