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沈陽麥科諾科技有限公司
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ICP感應耦合等離子體刻蝕機
本設備主要用于常規尺寸樣片（不超過Φ6-8英寸）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻蝕速率快、重復性好等優點。
設備主要由高真空刻蝕室、真空獲得及真空測量系統、恒壓系統、電源系統、ICP系統、氣路系統、電氣控制系統、自動控制系統、冷卻系統、報警系統等部分組成。
刻蝕材料：Si、SiO2、SiN、Poly-Si、聚合物、光刻膠等材料
氣路：6臺MFC控制6路氣體進氣
樣品有效尺寸：Φ150mm（Φ6英寸）
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