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武漢賽斯特精密儀器有限公司


離子刻蝕機(jī)

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

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更新時(shí)間:2021-04-25 15:12:56瀏覽次數(shù):1443次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
加工定制    

離子刻蝕機(jī) 深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。

詳細(xì)介紹

離子刻蝕機(jī)

 

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來(lái)滿足客戶的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)要求。通過(guò)一系列的技術(shù)的開(kāi)發(fā),SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級(jí)封裝)。

深硅刻蝕工藝的主要過(guò)程包括:

1) 鈍化處理過(guò)程(C4F8等離子體)

一階段:由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2) 刻蝕過(guò)程(SF6等離子體)

第二階段:由于離子體的定向運(yùn)動(dòng),基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。

第三階段:暴露的硅表面就會(huì)被F系物刻蝕掉,SF6*提供等離子體,來(lái)實(shí)現(xiàn)高深寬比的刻蝕。

 

離子刻蝕機(jī)

 

深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。

 

SPTS提供一系列的設(shè)備來(lái)滿足客戶研發(fā)到生產(chǎn)不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。

 

Pegasus是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過(guò)利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的工藝控制。

 

parameter ramping技術(shù):

實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過(guò)程參數(shù),以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。

關(guān)鍵詞:刻蝕機(jī) 芯片

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