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上海德竹芯源科技有限公司
動態二次離子質譜儀(D-SIMS)是使用一次離子束(通常是Cs源)轟擊樣品表面,而產生二次離子,然后用質譜分析儀分析二次離子的質荷比(m/q),從而得知元素在樣品中的深度分布,是分析半導體摻雜和離子注入的有力的工具。
優勢
● ULVAC-PHI 新設計的四極桿-二次離子質譜儀 ADEPT 1010,在原有的 PHI 6300 和 PHI 6600 的基礎上,改善了離子光學系統,是在一次離子能量低至 250eV 時,仍保持有效的濺射束流的動態二次離子質譜系統(D-SIMS)。
特點
● 大束流低能量離子槍設計,提高了深度分辨率
● 高性能離子光學系統,改善了二次離子傳輸效率,在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度
● 高精度全自動 5 軸樣品操控臺
● 不同方向進入檢測器的二次離子,均可被高靈敏地收集檢測
應用實例分析
● 采用一次離子源 Cs 在加速 5kV 束流為 100nA 的條件下,分析 GaAs 中注入的 H,C,O 元素。可以看到 H 檢測限值 7.1 × 1016 atm/cm3,O 檢測限值 4.4 × 1015 atm/cm3,C 檢測限值 2.0 × 1015 atm/cm3。
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