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更新時間：2022-11-17 17:18:08瀏覽次數(shù)：290次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機(jī)，是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
牛津等離子體刻蝕機(jī)PlasmaPro 80 RIE
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
。直開式設(shè)計允許快速裝卸晶圓
。出色的刻蝕控制和速率測定
。出色的晶圓溫度均勻性
。晶圓可達(dá)200mm
。購置成本低
。符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用:
· III-V族材料刻蝕工藝
· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
· 類金剛石（DLC）沉積
· 二氧化硅和石英刻蝕
· 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓
· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的刻蝕
系統(tǒng)特點(diǎn)
· 小型系統(tǒng) —— 易于安置
· 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
· 高導(dǎo)通的徑向（軸對稱）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率
· 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
· 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度
· 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡單
· X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
· 通過前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快
· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來確定非透明材料（如金屬）的邊界
· 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測 —— 監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測
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