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寧波潤華全芯微電子設(shè)備有限公司
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更新時間:2022-11-28 16:03:16瀏覽次數(shù):305次
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單片濕法刻蝕設(shè)備,能適應(yīng)HF,HCL,H3PO4等多種刻蝕液,可刻蝕金屬有Gr、Ni、Ti、Cu、Au等。本設(shè)備工作過程中由擺臂系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)交替噴液,多層Cup結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)不同刻蝕液的分類排放與回收。專業(yè)的工藝腔體結(jié)構(gòu),在刻蝕電鍍或濺射形成的金屬膜的前提下,既能保證刻蝕的均勻性、刻蝕率,還可以保證各種化學(xué)品的使用安全性。本設(shè)備能滿足縱向刻蝕深度尺寸較大,橫向刻蝕深度精度高的工藝要求,在刻蝕工藝完成后,晶圓刻蝕溝槽和深孔等圖形側(cè)壁陡直規(guī)整,均勻性可達(dá)5%以內(nèi)。 晶片尺寸
2-12寸
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