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賽福儀器承德有限公司
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CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。
CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括：
介電材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
類金剛石（DLC）
產品特點：
PLC工控機控制整個清洗過程，全自動進行。
7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化操作界面顯示，自動監測工藝參數狀態，0~99配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數據，機器運行、停止提示。
手動、自動兩種工作模式。
全真空管路系統采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。
采用防腐數字流量計控制，標配雙路氣體輸送系統，可選多氣路氣體輸送系統，氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。
符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。
316不銹鋼、航空鋁真空倉選擇。
采用頂置真空倉，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。
有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。
安全保護，倉門打開，自動關閉電源。
技術參數
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 10-300W可調（可選10-1000W） | 10-300W可調（可選10-600W） |
氣體控制 | 質量流量計（MFC）（標配雙路，可選多路）流量范圍0-500SCCM（可調） | |
工藝氣體 | Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等（可選） | |
處理尺寸 | ≤Φ200mm | |
時間設定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩定時間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電 源 | AC220V 50-60Hz，所有配線符合《低壓配電設計規范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。 | |
當等離子蝕刻應用涉及使用氧氣作為工藝氣體時，出于安全原因，強烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級旋片泵或類似的合成油旋轉機械泵。因為Edwards愛德華RV3雙級旋片泵在泵科學應用方面已成為行業標準。當然，在需要避免使用油基旋轉機械泵的地方，也可選擇干式真空泵。
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