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詳細摘要： 三靶射頻磁控濺射鍍膜儀配有磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設備主要用于制作非導電薄膜，特別是一些氧化物薄膜。

詳細摘要： 等離子磁控濺射鍍膜儀系列儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉樣品臺，其與濺射頭之間距離可調

詳細摘要： 1200℃小型井式爐（9L）系列 加熱元件：摻鉬鐵鉻鋁（表面涂有氧化鋯涂層，可以*程度延長使用壽命）；

詳細摘要： 1650℃布里奇曼單晶生長爐系列此設備適合于生長各種金屬，氧化物等晶體，也和作為多晶棒定向凝固使用。

詳細摘要： 高溫高壓鎳基合金水熱反應釜 65/100ml系列鋁制散熱器安裝于殼體上，托住爐管，并帶有風冷系統,可有效降低法蘭溫度

詳細摘要： 混合式小型晶體生長爐系列是一款小型晶體生長爐，適用于提拉法或布里奇曼法生長單晶，其zui高溫度可達1100℃。

詳細摘要： 三溫區頂部籽晶助溶劑法單晶生長爐系列溫控系統可設置28段溫度程序段，控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構，其提拉速度為0.8-50mm/hour.

詳細摘要： 1600℃ TSSG法晶體生長爐系列采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，以MoSi2為加熱元件，其腔體尺寸為φ330mm×250mm（H），zui高溫度可達1...

詳細摘要： 4電弧提拉法單晶生長爐系列真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

詳細摘要： 1700℃小型單晶生長爐系列是一款小型提拉法單晶生長爐，其zui高溫度可達1700℃。可用于生長GGG,YAG，LaALO3等各種單晶，用于材料的基礎研究。

詳細摘要： SKJ-VE2000火焰法單晶生長爐系列是一款小型火焰法單晶生長爐，其溫度可以高達2000℃。

詳細摘要： SKJ-LCZ懸浮提拉晶體生長爐系列懸浮熔煉避免了坩堝的污染，可得到高純度的金屬（合金）單晶。

詳細摘要： SKJ-CZ-250小型提拉機構此設備專門用于DIY各種單晶生長設備，如提拉法單晶爐（CZ）、頂部籽晶助溶劑法（TSSG）等等。

詳細摘要： SKJ-50CZ晶體生長爐系列是一款高質量的CZ晶體生長爐，可針對于材料的實驗探索，也可以適用于晶體材料的生產。

詳細摘要： OTF-1200X-50-DSL定向CVD生長爐系列是一款水平滑軌爐，其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據實驗需要而設置

詳細摘要： VBF-1200X-TSSG晶體生長爐系列一款頂部籽晶法晶體生長爐，可利用助溶劑法生長各種材料單晶。

詳細摘要： 1200℃雙溫區管式爐系列兩個溫區分別由兩個獨立的溫控系統來控制，而且都為PID30段程序化控溫。

詳細摘要： 2000℃控溫感應加熱爐系列是一款較大型高溫感應加熱/熔煉爐系統，配用30KW感應加熱器，8.5英寸（216mm）石英管

詳細摘要： 300ml鎳基合金高溫高壓反應釜系列是一款300ml的高溫高壓反應釜，采用鎳基高溫合金鋼制作，其具*的蠕變強度和抗氧化性。

詳細摘要： 1200℃坩堝可移動型管式爐系列是一款坩堝可在爐管內移動（靠步進電機控制）的小型開啟式管式爐。爐管外徑為50mm,設備zui高工作溫度為1200℃。