1200℃坩堝可移動型管式爐系列是一款坩堝可在爐管內移動（靠步進電機控制）的小型開啟式管式爐。爐管外徑為50mm,設備zui高工作溫度為1200℃。通過觸摸屏數字控制器控制樣品臺或坩堝在爐管內的位置和溫度。此設備可進行快速熱處理，例如混合物理化學沉積（HPCVD），快速熱蒸發（RTE），以及在各種氣氛下進行的水平布里奇曼晶體生長（HDC），用于新一代晶體研究。

1200℃坩堝可移動型管式爐系列

· 爐子配備步進電機，通過觸摸屏數字控制器使樣品臺或坩堝在爐管內移動。

· zui高溫度可達1200℃。

· 雙層殼體結構，并帶有風冷系統，可有效降低殼體表面溫度。

· 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。

· 可選擇改造為雙溫區管式爐，但需額外付費，以產生更高的熱梯度或更長的恒溫區。

· 一個直徑為1/4＂的鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動，可實時監測樣品的實際溫度。（見圖一）

· 通過步進電機移動爐管內的坩堝（樣品臺），zui大行程為100mm。

· 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置，坩堝移動速度為180mm/min（可根據要求提供變速控制，但需額外付費）。（見圖二）

· 在熱電偶上安裝了一個微型坩堝舟。（ 見圖三）

· 可根據要求提供用于晶片的氮化鋁樣品架或石墨平板基底支架，將收取額外的定制費（見圖四）。