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束蘊儀器（上海）有限公司
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MDPpicts溫度依賴的光感應電流瞬態圖譜檢測MicrowaveDetectedPhotoInducedCurrentTransientSpectroscopy微波探測的光感應電流瞬態圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征
Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy
微波探測的光感應電流瞬態圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。
靈敏度：對電子缺陷表征的 靈敏度
圖1. 與溫度有關的載流子發射瞬態
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰變常數范圍：20納秒到幾毫秒
污染測定：測量基礎的陷阱能級：陷阱的活化能和俘獲截面，基于溫度和注入的壽命測定
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
彈性：可從不同波長(從365nm到1480nm)選擇不同種類的材料
可訪問性：基于IP的系統允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。
利用這種新型的商用MDPpicts設備，可以在20~500k范圍內測量溫度依賴性的光電導瞬態。在過去，Si, GaAs, InP, SiC和更多的半導體已經成功采用了這種方法進行研究。
圖2. 不同ID的評價
圖3.Arrhenius曲線圖
圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
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