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MDPmap 晶圓片壽命檢測儀

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更新時間:2021-06-30 08:23:03瀏覽次數:317次

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產品簡介

Mono-andMulti-crystallinewaferlifetimemeasurementdevice應用范圍:用于精密材料研發的單晶和多晶片的壽命測量特性靈敏度:外延片不可見的缺陷和檢測的靈敏度的可視化測量速度:6英寸硅晶圓片

詳細介紹

Mono- and Multi-crystalline wafer lifetime measurement device

應用范圍:用于精密材料研發的單晶和多晶片的壽命測量

 

 

特性

  1. 靈敏度:外延片不可見的缺陷和檢測的 靈敏度的可視化
  2. 測量速度:6英寸硅晶圓片,1mm分辨率 ,小于5分鐘
  3. 使用壽命: 20納秒到幾毫秒
  4. 污染測定:源自爐和設備的金屬(Fe)污染
  5. 測量能力:從初始切割的晶圓片到*加工的樣品
  6. 靈活性:固定測量頭允許外部激光與觸發器耦合
  7. 可靠性: 模塊化和緊湊的臺式儀器,更高的可靠性和正常運行時間> 99%
  8. 重現性: > 99.5%
  9. 電阻率:不需要頻繁校準

用于研發或生產監控的靈活檢測工具

  1. MDPmap是一個緊湊的臺式無觸點電子特性的離線生產控制或研發的工具。可測量參數如載流子壽命、光電導性、電阻率、缺陷信息在穩態或注入范圍寬短脈沖勵磁(μ-PCD)。自動化的樣品識別和參數設置可以方便地適應各種不同的樣品,包括在不同的制備階段,從生長的晶圓片到高達95%的金屬化晶圓片的外延片和晶圓片。
  2. MDPmap的主要優點是其高度的靈活性,它允許集成最多4個激光器,用于從超低注入到高注入的依賴于注入水平的壽命測量,或者使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設施以及μ-PCD或穩態注入條件的選項。可以使用不同的圖進行客戶定義的計算,也可以導出原始數據進行進一步的評估。對于標準計量任務,可用一個預定義的標準,使常規測量只需按一個按鈕。

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