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重慶眺望科技有限公司
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ICP-RIESI500納米結構低損傷刻蝕由于等離子的能量分布低，從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕
ICP-RIE SI 500
納米結構低損傷刻蝕
由于等離子的能量分布低，從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕。
簡單高速率刻蝕
MEMS制造工藝中，Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現。
內置ICP等離子源
平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH的等離子工藝系統。PTSA能產生高密度低能量分布的等離子體。
在多種材料刻蝕工藝中都能實現高效率耦合及穩定起輝 。
動態溫控
襯底溫度設定和工藝過程中的穩定性是影響刻蝕工藝質量的重要因素。ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。
SENTECH面向高靈活性和高產能的刻蝕和沉積系統提供各種級別的自動化裝置，從預真空系統到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。
SI 500
ICP等離子刻蝕機
真空樣品室/load-lock
裝載200mm晶圓
樣品溫度 -20 °C ~ 300 °C
SI 500C
低溫ICP等離子刻蝕機
配置傳送腔和真空樣品室
樣品溫度 -150 °C ~ 400 °C
SI 500-RIE
RIE等離子刻蝕機
智能氦氣背部冷卻刻蝕
電容耦合等離子源
可升級到ICP等離子源PTSA200
SI 500-300
ICP等離子刻蝕機
真空樣品室/load-lock
裝載300mm晶圓
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