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ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀

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更新時間：2022-11-17 17:16:35瀏覽次數：222次

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產品簡介

1.ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀概述ME-L是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入，其采用行業的創新技術，包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等

詳細介紹

1. ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀

概述

ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入，其采用行業的創新技術，包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等。可應用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析。

雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素；
配置自動變角器、五維樣件控制平臺等優質硬件模塊；
軟件交互式界面配合輔助向導式設計，易上手、操作便捷；
豐富的數據庫和幾何結構模型庫，保證強大數據分析能力。

一、產品特點
1、采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)；

2、可實現穆勒矩陣數據處理，測量信息量更大，測量速度快、數據更加精準；

3、基于雙旋轉補償器配置，可一次測量獲得全部穆勒矩陣的16個元素，相對傳統光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面的測量信息；

4、頤光技術確保在寬光譜范圍內，提供優質穩定的各波段光譜；

5、數百種材料數據庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；

6、集成對納米光柵的分析，可同時測量分析納米結構周期、線寬、線高、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息；

二、產品應用
半導體薄膜結構：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等；
半導體周期性納米結構：納米光柵，套刻誤差，T型相變存儲器等；
新材料，新物理現象研究：材料光學各向異性，電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
光伏太陽能：光伏材料（如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等）反射率，消光系數測量，膜層厚度及表面粗糙度測量等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等；
塊狀材料分析：固體（金屬、半導體、介質等）或液體（純凈物或混合物）的折射率n和消光系數k表征，玻璃新品研發和質量控制等。
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