EM12是采用量拓科技測量技術，針對中端精度需求的研發和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。
EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的相對厚度測量。
EM12采用了量拓科技多項技術。
特點：
次納米量的高靈敏度
采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在1.6秒內快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設置。
應用：
EM12適合于中端精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。
EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
EM12可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。
技術指標:
| 項目 | 技術指標 |
| 儀器型號 | EM12 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復性（1） | 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測量重復性（1） | 2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時間 | 與測量設置相關，典型1.6s |
| 大的膜層范圍 | 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 |
| 光學結構 | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 激光光束直徑 | 1-2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調節，步進5° |
| 樣品方位調整 | Z軸高度調節：±6.5mm 二維俯仰調節：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統 |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 |
| 軟件 | ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個預設項目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合； l 方便的數據顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數據庫支持 |
注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證:
- 穩定性的He-Ne激光光源、采樣方法，保證了高穩定性和高準確度
- 高精度的光學自準直系統，保證了快速、高精度的樣品方位對準
- 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合采樣技術，保證了快速、穩定測量
- 分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結構設計，使得系統操作簡單、整體穩定性提高，并節省空間
- 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用
- 可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
