| 特點 | 規格 |
|---|---|
| 量測 | 厚度, 反射率, 吸收率, 表面結構 |
| 量測波長 | 632.8 nm(He-Ne 雷射) |
| 量測時間 | 100 ms~2 s |
| 量測厚度 | 2 nm~6000 nm |
| 樣品平臺 | 200 mm (自動 Rho/Theta) |
| 反射角檢測 | 自動 / 手動 |
| 角度 | 45° – 90° / 12° – 90° |
| 變化角度 | 5° / 1° |
| 重復性 | 0.01° |
| 準確度 | Psi：0.002° Delta：0.002° |
| 厚度精確度 | 0.01nm( 80nm Si3N4 on Si) |
暫無信息 |
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| 特點 | 規格 |
|---|---|
| 量測 | 厚度, 反射率, 吸收率, 表面結構 |
| 量測波長 | 632.8 nm(He-Ne 雷射) |
| 量測時間 | 100 ms~2 s |
| 量測厚度 | 2 nm~6000 nm |
| 樣品平臺 | 200 mm (自動 Rho/Theta) |
| 反射角檢測 | 自動 / 手動 |
| 角度 | 45° – 90° / 12° – 90° |
| 變化角度 | 5° / 1° |
| 重復性 | 0.01° |
| 準確度 | Psi：0.002° Delta：0.002° |
| 厚度精確度 | 0.01nm( 80nm Si3N4 on Si) |
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