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拓荊科技股份有限公司
產品介紹NF-300HHTM PECVD設備 產品介紹NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,擁有自主知識產權。應用于128層及以上3D NAND閃存芯片的生產。可實現SiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構和Thick TEOS 薄膜,在均勻性、顆粒度、粗糙度、應力及產能等方面實現技術突破,設備性能指標達同類產品水平......
NF-300H
HTM PECVD設備
產品特點
- 高產能設計和可實現多種薄膜沉積的快速切換
- 可實現多層SiO2,SiN(ONON)堆疊功能
- 滿足300-600℃高溫沉積需求
- PM腔內可進行多片wafer沉積和wafer自動升降旋轉功能
- 通過S2安全認證
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