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Picosun R-200系列ALD原子層沉積體統(tǒng)

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產(chǎn)品型號(hào)

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更新時(shí)間：2021-06-29 16:30:31瀏覽次數(shù)：231次

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主要技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

Picosun R-200系列原子層沉積體統(tǒng)是一款多種能的原子層沉積平臺(tái)，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于IC器件、MEMS器件、顯示器、led、激光、3D物體如鏡片、光學(xué)、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)。
 

主要技術(shù)參數(shù)：

·適用2-8inch的單片晶圓；
·工藝溫度：50-500℃，Advance型號(hào)配有等離子處理系統(tǒng)，工藝溫度450℃（可選配特定chuck盤至650℃）；
·適用鍍膜種類：Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN，Pt，Ir等；
·手動(dòng)上料，可選配機(jī)械臂，搬運(yùn)機(jī)器人或Cassette-to-Cassette上料；
·前驅(qū)體種類：液體，固體，氣體，等離子體，臭氧體等；

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