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用于半導體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

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產品型號Thermo Scientific

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更新時間:2023-04-02 14:17:15瀏覽次數:319次

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產品簡介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統提供的功能,除廣泛的其他大面積 FIB 處理應用外,還能夠實現 10 nm 半導體器件的無損傷延遲和 3D 封裝的高級故障分析。

詳細介紹

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統使您能夠:
  • 使用具有高電流 UC+ 單色器技術的 Elstar™ SEM 電子鏡筒,可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度,從而顯示較為細致的細節信息。
  • 使用新一代 2.5微安 氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒,可進行較高通量和質量相關 3D 表征、橫向切片和微加工。
  • 使用自動搖擺研磨機,可實現高產率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質量 TEM 片晶。
  • 實現的低 kV 離子束性能,可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
  • 通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統,可提供在 FIB-SEM 系統上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
  • 在常規和低 k 電介質中,采用專有的 Dx 和 DE 化學物質對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削*的包裝材料。


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