當前位置:上海雋思實驗儀器有限公司>>半導體烘烤設備>>無塵烘箱>> JS-MOL00堅膜烘箱 百級潔凈烘箱 氮氣無塵烘箱
材質 | 316L不銹鋼 | 工作室尺寸 | 45mm |
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功率 | 2500 | 類型 | 鼓風 |
適用范圍 | MEMS,氮化鎵,砷化鎵,半導體 | 溫度范圍 | 230℃ |
堅膜烘箱 百級潔凈烘箱 氮氣無塵烘箱注意事項
堅膜就是通過加溫烘烤使膠膜更加牢固的粘附在晶圓表面,并可以增加膠層的抗刻蝕能力的一道光刻膠工藝。
堅膜并不是一道必需工藝。如后續為刻蝕工藝,建議進行堅膜,來提高光刻膠的穩定性,如果后續 工藝為lift-off工藝,一般不建議進行堅膜工藝,因為堅膜后光刻膠穩定性提高,反而不利于剝離的進行。
另外,一定要注意堅膜的溫度,過高的溫度會光刻膠結構變形、融化甚至圖形消失。
堅膜烘箱 百級潔凈烘箱 氮氣無塵烘箱光刻膠變化
1)熱變形
非交聯型光刻膠的結構,即顯影后的正膠和圖形反轉膠結構在加熱后的軟化溫度取決于前面軟烘烤工藝。
2)溶劑變化
減少殘留溶劑的含量實際上是勻膠工藝后前烘步驟的意義。然而,在厚膠工藝的情況下,即使是在推薦的前烘條件下,在靠近襯底附近的光刻膠中仍然包含相當高的溶劑。
3)光引發劑熱分解
在正膠情況下,相當一部分光引發劑在120℃下 幾分鐘內就會分解。雖然在顯影后不再需要光引發劑進行光反應,但在未曝光狀態下,它有助于提高光刻膠膜在堿性環境中的穩定性,以及用于隨后的濕法蝕刻步驟或在pH值為>7的溶液中進行的電鍍工藝。
4)熱交聯
在正膠情況下,樹脂在130℃-140℃下熱交聯強度逐漸增強,這可以顯著提高光刻膠對堿性或有機溶劑的化學穩定性。
5)光刻膠脆性
在烘烤過程中,殘余溶劑的含量進一步降低以至于光刻膠結構的彈性也隨之降低,同時光刻膠結構與氧氣反應,在120 -130℃左右開始光刻膠開始脆化。光刻膠和襯底材料的不同熱膨脹系數不同會導致裂紋的產生。產生的這些光刻膠裂紋對后續濕法刻蝕與電鍍的影響是非常不利的。
堅膜烘箱 潔凈烘箱 氮氣無塵烘箱工藝特點
如果必須做堅膜工藝,可以通過控制降溫速度來減小裂紋的形成。例如,通過隨爐子冷卻來減小裂紋的產生。出于同樣的原因,烘烤后的襯底應小心處理,并應避免變形,如襯底彎曲,這些對于PI膠做鈍化層(PI固化爐)的應用顯得尤為重要。
堅膜烘箱技術性能
全周激光滿焊,SUS304#不銹鋼電熱產生器,防機臺本身產生微塵;
采用特殊風道,水平送風,溫度均勻性佳;
可定值運行,多段程序運行;
設備采用雙腔室一體設計,獨立控制,節省空間;
溫度范圍: RT+10~200、300/400℃;
溫度均勻度:≤±1.5%℃;
潔凈度:class100,適用潔凈間;
設備尺寸:45*45*50(CM)
計時功能:0~ 99H99M可調;
降溫方式:可選配
保溫材料:超細陶瓷纖維;
隔 板:1-10層;
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