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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司


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IGBT電性參數(shù)測試服務(wù)-第三方檢測中心

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參  考  價:99
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號

    長禾CNAS

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)商

  • 所在地

    西安市

規(guī)格

1 99元 999件可售

聯(lián)系方式:白曉輝查看聯(lián)系方式

更新時間:2025-03-13 10:27:18瀏覽次數(shù):11次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:23條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:白曉輝 (銷售)

產(chǎn)品簡介
加工定制    

IGBT電性參數(shù)測試服務(wù)-第三方檢測中心
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測:針對新能源汽車領(lǐng)域,提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗證,助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗:模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估:快速精準(zhǔn)定位元器件失效根因,為產(chǎn)品改進和技術(shù)迭代提供支撐。

詳細(xì)介紹

IGBT電性參數(shù)測試服務(wù)-第三方檢測中心IGBT電性參數(shù)測試服務(wù)-第三方檢測中心

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試(DC

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012GJB128B-2021

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件;

檢測能力:檢測電壓:2000V 檢測電流:200A

試驗參數(shù):

漏電參數(shù):IRICBOICEOIDSSIDOFFIDRM IRRMICESIGESFIGESRIEBOIGSSF IGSSR

擊穿參數(shù):BVCEOBVCESBVDSSBVCBOVDRM VRRMBVRBVZBVEBOBVGSS

導(dǎo)通參數(shù):VCESATVBESATVBEONVFVGSTHVGETHVTM

關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGTVGT

保持參數(shù):IHIH+IH-

鎖定參數(shù):ILIL+IL-

混合參數(shù):RDSONGFS

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCEO,S,R,V vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCESAT vs.IC

VBESAT vs.IC

VBEON vs.IC use VBE test

VCESAT vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試(DC

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:DIODEIGBTMOSFETSCR、整流橋等功率;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:7000V,檢測 電流:5000A

試驗參數(shù):

漏電參數(shù):IRICBOICEOIDSSIDOFFIDRMIRRMICESIGESFIGESRIEBOIGSSF IGSSR

擊穿參數(shù):BVCEOBVCESBVDSSBVCBOVDRM VRRMBVRBVZBVEBOBVGSS

導(dǎo)通參數(shù):VCESATVBESATVBEONVFVGSTHVGETHVTM

關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGTVGT

保持參數(shù):IHIH+IH-

鎖定參數(shù):ILIL+IL-

混合參數(shù):RDSONGFS

開關(guān)特性測試(Switch

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:MOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及模塊;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V 檢測 電流:5000A

試驗參數(shù):開通/關(guān)斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt

反向恢復(fù)測試(Qrr

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:DIODEMOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及模塊;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V 檢測 電流:5000A

試驗參數(shù):反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec

柵極電荷(Qg

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:MOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及模塊;;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V 檢測 電流:5000A

試驗參數(shù):柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd

短路耐量(SCSOA

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:DIODEMOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V 檢測 電流:10000A

試驗參數(shù):短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc

結(jié)電容(Cg    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:MOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及模塊;

試驗?zāi)芰Γ侯l率:0.1-1MHz、檢測 電壓:1500V

試驗參數(shù):輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres

C-V曲線掃描     

輸入電容Ciss-V

輸出電容Coss-V

反向傳輸電容Cres-V

柵極電阻(Rg

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747JB/T7626-2013

GB/T 29332-2012

試驗對象:DIODEMOSFETIGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:1500V

試驗參數(shù):柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測試    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:DIODESi/SiC)、整流橋、SCRIGBT

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電流:10000A10ms/8.3ms正弦半波,100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù):浪涌電流IFSM/ITSMi2t

雷擊浪涌      8/20us,10/1000us

雪崩耐量測試(UIS

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:MOSFETIGBTDIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

試驗參數(shù):雪崩能量EAS

介電性測試 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 42125.10-2022IEC 60243GB 4793.1-2007

試驗對象:SiSiC·MOSFET

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

高溫反偏試驗(HTRB  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128MIL-STD-750JESD22-A108EIAJED-4701100AEC-Q101,

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>  150℃;電壓  5000V

高溫柵偏試驗(HTGB  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128MIL-STD-750JESD22-A108

EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 。

試驗對象:MOSFETIGBTSiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>  150℃;電壓  100V

高溫高濕反偏試驗(H3TRB

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128MIL-STD-750JESD22-A108

EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 。

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>85℃,濕度范圍:25%~95%,電壓  4500V

功率老煉測試     

試驗對象:IGBTTVS、壓敏電阻VDR

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

間歇壽命試驗(IOL

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128MIL-STD-750、 ;

試驗對象:DIODEBJTMOSFETIGBTSiC器件等分立器件;

檢測能力:ΔTj100℃ 電壓 60V,電流 50A

功率循環(huán)試驗(PC

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128MIL-STD-750、 ;

試驗對象:IGBT模塊;

檢測能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A

熱阻測試(Riath   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JESD51-1JESD51-14JESD24-3JESD24-4JESD24-6

試驗對象:各類二極管;

試驗?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析      X-ray    

◆ 人機工程學(xué)設(shè)計

◆ 編程CNC檢測及選配旋轉(zhuǎn)工裝

◆ 可實時追蹤、目標(biāo)點定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺及桌面檢測區(qū)域

X射線源:

 輸出功率:8W

光管類型:封閉式

管電壓:90kV

焦點尺寸:5μm

環(huán)境老煉     

高溫存儲試驗(HTSL   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750GB/T 2423.2-2008GJB548、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>  220℃;

低溫存儲試驗(LTSL    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB548GJB128MIL-STD-750JESD22-A108EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗?zāi)芰Γ簻囟?span>   -70℃。

高低溫循環(huán)試驗(TC   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB548GJB128MIL-STD-750JESD22-A108EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-40~175℃。

溫度沖擊試驗     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB548GJB 150-86GB 2423MIL-STD-810HIEC60068-2-14

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-70~220℃。

高溫蒸煮試驗(PCT     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 4937.4-2012?JESD22-A110D-2010?

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗?zāi)芰Γ?/span>?溫度范圍?105℃142.9℃之間;濕度范圍?75%100RH

壓力范圍?0.02MPa0.186MPa

可焊性試驗 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-202GMIL-STD-883GGB2423IEC60068

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

振動試驗     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB 150.25-86GB-T 4857.23-2003GBT4857.10-2005

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗方法:模擬產(chǎn)品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響,主要用于評定元器件、零部件及整機在預(yù)期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力,以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。

鹽霧試驗     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T2423.172008GB/T2423.182000GB593886

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗方法:通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比,確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計缺陷等。



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