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北京中科復華科技有限公司
產地 | 國產 |
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反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應,同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用
應用方向:科研與教學
產品優勢:刻蝕速率控制方便,耐氯基強腐蝕氣體,帶雙片送取樣室(Load-Lock)
產品配置:
★樣片數量及尺寸:1片Ф6英寸
★刻蝕材料:包括并不限于單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等
★刻蝕腔體:高真空系統
★Load-Lock:低真空系統 或 高真空系統。雙片裝,樣品自動運送。
★刻蝕不均勻性:±3%-±6%
★刻蝕速率:0.1-4μm/min(視具體材料與工藝)
★工作臺:可升降,包含水冷
★電源配置:下電偏壓,包含自動匹配
★氣路數量與種類:6路氣路,其中2路耐腐蝕VCR焊接 或 用戶選配
★He冷背吹系統:可選配
★終點檢測控制:可選配質譜儀
★操作模式:全自動+半自動控制
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