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北京合能陽光新能源技術有限公司

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SiC晶種(籽晶)

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更新時間:2017-12-25 19:22:16瀏覽次數:725次

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SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中*要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。

 

產品介紹:
       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中*要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
       合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
物理性質:
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 


 

標準參數:
       *可以根據客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度,標準控制在30/cm2以內,高品質可以控制在5/cm2以內。
        
 
技術參數:
     系統重復性:300~400nm <0.6%
400~1000nm <0.3%
1000nm以上<0.6%
     測試光斑尺寸2mm~10mm
     測試速度:單次光譜掃描<1min
 
 
 
 
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內SiC襯底企業。

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