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北京合能陽光新能源技術有限公司

SiC晶種(籽晶)

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

更新時間:2017-12-25 19:22:16瀏覽次數(shù):724次

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SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難,其中*要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構以及電學性質(zhì)等等。

 

產(chǎn)品介紹:
       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難,其中*要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構以及電學性質(zhì)等等。
       合能陽光提供的SiC晶種,可充分滿足不同需求的客戶,優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。
物理性質(zhì):
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 


 

標準參數(shù):
       *可以根據(jù)客戶需求提供不同品質(zhì)的晶種。Micropipe密度,標準控制在30/cm2以內(nèi),高品質(zhì)可以控制在5/cm2以內(nèi)。
        
 
技術參數(shù):
     系統(tǒng)重復性:300~400nm <0.6%
400~1000nm <0.3%
1000nm以上<0.6%
     測試光斑尺寸2mm~10mm
     測試速度:單次光譜掃描<1min
 
 
 
 
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。

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