產(chǎn)品介紹:
SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中*要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構以及電學性質(zhì)等等。
合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。
物理性質(zhì)：
標準參數(shù)：
*可以根據(jù)客戶需求提供不同品質(zhì)的晶種。Micropipe密度，標準控制在30/cm2以內(nèi)，高品質(zhì)可以控制在5/cm2以內(nèi)。
技術參數(shù)：
■ 系統(tǒng)重復性：300~400nm <0.6%
400~1000nm <0.3%
1000nm以上<0.6%
■ 測試光斑尺寸2mm~10mm
■ 測試速度：單次光譜掃描<1min；
典型客戶:
美國，歐洲，亞洲及國內(nèi)SiC襯底企業(yè)。
環(huán)保在線