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北京合能陽光新能源技術有限公司

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SiC晶體粉源(可用于PVT長晶)

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更新時間:2017-12-08 14:01:30瀏覽次數:369次

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SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。

產品介紹: 
 SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
 合能陽光提供的SiC高品質粉末,可充分滿足不同需求的客戶,為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
化學性質:
(Mass fraction in % [cg/g];ppm(ug/g))   SSA05  SSA10    SSA15      SSA25
 
物理性質:
 
 
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內SiC襯底企業。
 

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