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北京合能陽光新能源技術有限公司
■ 鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡稱Ga。質軟,淡藍色光澤。熔點29.78℃。沸點2403℃。具有無毒、不揮發、不燃、不爆炸等特性。是硅半導體摻雜的重要元素。
為什么用拉單晶 -
■ 鎵摻雜是目前太陽能拉單晶生產的工藝
■ 拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時可以提高太陽能電池光電轉換效率
■ 即使摻單晶電阻率低達0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質。
■ 摻雜成本低,簡便可行,每50Kg投料僅需1~2g摻雜劑
■ 用摻雜拉出單晶棒縱向電阻率變化不是很大,硅片上徑向電阻率變化≤20%,由于的分凝系數較小,只有0.008,尾部電阻率偏低一些,但這部分切的硅片并不是很多。可想而知,在當前通用工藝條件下,拉晶摻硅片既可以享受由低電阻率條件制作較高效太陽能電池之利,又全無光致衰減帶來的光電轉換效率降低的煩惱,是一種非常理想的全新選擇。
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