北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： 原生多晶型號(hào)測(cè)試儀是一款半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)試儀器，具有大量程測(cè)試范圍的特點(diǎn)，尤其適用于西門子法原生硅料生產(chǎn)企業(yè)的高阻硅料（含硅芯、檢磷棒、檢硼棒等）以及各種低阻硅...
產(chǎn)品型號(hào)：HS-PSTT所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： 多晶硅鑄錠（定向凝固）配料工藝軟件是一個(gè)用于太陽(yáng)能光伏多晶硅料及多晶硅鑄錠配料的工藝計(jì)算軟件
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-Phys-IRis晶圓紅外檢測(cè)系統(tǒng)專門用于包括硅材料等半導(dǎo)體晶圓及晶環(huán)生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)晶圓內(nèi)部的機(jī)械隱裂等肉眼無(wú)法觀測(cè)的內(nèi)部缺陷，其檢測(cè)直徑可達(dá)420mm。
產(chǎn)品型號(hào)：HS-Phys-IRis所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-NIR-SiRod單晶硅芯長(zhǎng)棒紅外探傷測(cè)試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器，可大幅提高硅芯生產(chǎn)過(guò)程...
產(chǎn)品型號(hào)：HS-NIR-SiRod所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體晶片及晶環(huán)生產(chǎn)過(guò)程中以的分辨率探測(cè)晶片和晶環(huán)的內(nèi)部滑移線、內(nèi)部...
產(chǎn)品型號(hào)：HS-phys-SimPLe所在地：北京市更新時(shí)間：2022-10-27 在線留言
詳細(xì)摘要： ■ 所謂“母合金"就是雜質(zhì)元素與硅的合金，常用的有硅磷和硅硼兩種，雜質(zhì)濃度是10的-2次方和10的-3次方。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽(yáng)光的金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀（ HS-MPRT-5）是用來(lái)測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀(HS-MPRT4）是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 產(chǎn)品介紹: 我公司銷售的PVE300是基于Bentham公司專業(yè)的技術(shù)及25年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，PVE300能夠快速并準(zhǔn)確的給出分析數(shù)據(jù)，是經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的被廣泛應(yīng)用的...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 硅料磷、硼雜質(zhì)含量測(cè)試儀，其主要用途是對(duì)多晶硅料的包括磷硼含量在內(nèi)的超過(guò)75個(gè)元素進(jìn)行分析。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 原生多晶電阻率測(cè)試儀(HS-POSRT)，是一款電阻率測(cè)試儀器，具有電阻率大量程及超大量程測(cè)量的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了電阻率從0.0001歐姆.厘米到幾萬(wàn)歐姆.厘米（可擴(kuò)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀(HS-NCS-300型)可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化 TTV 、彎曲度，該儀器適用于 Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎所有...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽(yáng)光無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀(HS-MWR-SIM)，是一款功能強(qiáng)大的，能夠?qū)尉Ч璋簟⒍嗑Ч鑹K及硅片提供快速、無(wú)接觸、無(wú)損傷單點(diǎn)少子壽命測(cè)試，其通過(guò)微波光電衰...
產(chǎn)品型號(hào)：HS-MWR-SIM所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀TRM-100是基于渦流（Eddy Current）測(cè)試技術(shù)，能夠?qū)枇稀⒐璋簟⒐桢V及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 紅外探傷測(cè)試儀是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-03 在線留言
詳細(xì)摘要： 多角度激光橢偏儀(PH-LE型)專門針對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池絨面上的減反膜測(cè)量，能夠測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù)，使用632.8nm波長(zhǎng)氦氖激光器，具有*的精確度和準(zhǔn)確度...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-08-02 在線留言
詳細(xì)摘要： ■ 鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡(jiǎn)稱Ga。質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無(wú)毒、不揮發(fā)、不燃、不爆...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 合能陽(yáng)光無(wú)接觸少子壽命掃描儀(HS-MWR-2S3)功能強(qiáng)大，能夠?qū)尉Ч璋簟⒍嗑Ч鑹K及硅片提供快速、無(wú)接觸、無(wú)損傷、高分辨率的多功能掃描測(cè)試，其通過(guò)微波光電衰...
產(chǎn)品型號(hào)：HS-MWR-2S3）所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 硅片表面線痕深度測(cè)試儀(HS-SRT-301)可用于測(cè)試硅片的表面線痕深度，具有便于攜帶、觸摸屏便捷操作、液晶顯示、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)內(nèi)置打印機(jī)和充電電池，所有設(shè)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 合測(cè)試儀 - HS-PSRT電阻率型號(hào)綜合測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多功能綜合測(cè)試裝置，它可以測(cè)量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率，適用于半導(dǎo)體及太陽(yáng)能...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2022-07-11 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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