有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

詳細(xì)介紹

IDT晶振,石英晶體振蕩器,8N3D085晶振，Integrated Device Technology, Inc.（以下簡(jiǎn)稱IDT晶振集團(tuán)）,成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市主要開發(fā)優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案.

IDT晶振集團(tuán)開發(fā)了能夠與處理器,存儲(chǔ)器等數(shù)字系統(tǒng),其他半導(dǎo)體以及物理世界連接的半導(dǎo)體解決方案.IDT認(rèn)為作為一名者努力解決我們環(huán)境所面臨的挑戰(zhàn)以及社會(huì)需求是我們義不容辭的責(zé)任.IDT晶振作為較為出色的國(guó)際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被的通信、計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運(yùn)營(yíng)銷售基地.有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振

項(xiàng)目	符號(hào)	8N3D085晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	15.476MHz to 1300MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V to 3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項(xiàng)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。

(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度:

溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）.

(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振

IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振

開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振

采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝

在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料

為開發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作

無論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)

確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問題同等關(guān)注

從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動(dòng)

以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.

集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的*的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.

IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

IDT 晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.

環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).

關(guān)鍵詞：石英晶體振蕩器壓控振蕩器晶體振蕩器振蕩器

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