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更新時間:2022-11-24 14:21:20瀏覽次數(shù):346次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線進(jìn)口有源晶振具有于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC +1.8 V0.1 V to +3.2 V0.1 V )高度:1.0 mm,體積:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊) 無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
Suntsu晶振,進(jìn)口壓控振蕩器,STC32C溫補晶振,3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品選擇,符合RoHS/無鉛.
在2008年,我們將目光投向了精確時間模塊,并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO.其中之一,打破了工業(yè)界的個“板上安裝的單位”.在接下來的三年中,我們的產(chǎn)品線迅速增長.我們從專注于超小型晶體和VC-TCXO晶振開始,到提供各種石英晶體振蕩器和VCXO.2007年,我們進(jìn)一步擴(kuò)展了我們的產(chǎn)品線,包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO,以滿足基站和軍事通信設(shè)備應(yīng)用等需要晶體的頻率穩(wěn)定性的需求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片SMD晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
SUNTSU晶振 | STC32C晶振 |
輸出類型 | CMOS |
輸出負(fù)載 | 15pF |
振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
電源電壓 | +3.135V~+3.465V |
頻率范圍 | 6.00MHz~40.00MHz |
頻率穩(wěn)定度 | ±5ppm~±12ppm |
工作溫度 | -40℃~+85℃ |
保存溫度 | -55℃~+125℃ |
電壓卷(值)/ VOH(最小值) | 0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 | 5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) | 1個PS |
老化率 | ±3 ppm /年 |
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口溫補晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于晶體振蕩器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口石英晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過去SUNTSU進(jìn)口有源環(huán)保晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
SUNTSU晶振集團(tuán)將:不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.
美國SUNTSU美國進(jìn)口晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.
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