詳細摘要: 簡要描述:High purtiy graphite (HOPG) crystals have been I2 (iodine) intercalated to ...
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產品型號:2D Semiconductor所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:High purtiy graphite (HOPG) crystals have been Br2 (bromine) intercalated t...
產品型號:2D Semiconductor所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:硒化銦晶體(99.995%) InSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTe...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型晶體尺寸:~10毫米電學性能:半導體,P型晶體結構:六邊形晶胞參數:a = b ...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:二硒化鎢鈀晶體(99.995%) PdSe2晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,G...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:硒化鎢晶體(硫摻雜)(99.995%) WSSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:三硒化錳(磷摻雜)晶體(99.995%) MnPSe3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,N...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilities since early 2011 to o...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:World record size single crystal SnSe? (Tin diselenide) crystals are develo...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單壁碳納米管-標準版 TUBALL Carbon Nanotubes碳含量(wt.%):gt;85 (評價方法:TGA, EDX)CNT(wt.%):...
產品型號:Ocsial Material所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW(1-x)Se2 crystals perfectly...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:單壁碳納米管-定制版(1kg) TUBALL Carbon Nanotubes碳含量(wt.%)gt;96 (評價方法:TGA)CNT(wt.%):g...
產品型號:Ocsial Material所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material rema...
產品型號:所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
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產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:High purtiy WSe2 crystals have been I2 (iodine) intercalated to achieve p-t...
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產品型號:ACSMaterial所在地:上海更新時間:2024-02-13 在線留言詳細摘要: 簡要描述:In the bulk form (TlSe), Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV an...
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