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湖南頂立科技有限公司
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熱解碳化硼生長爐主要用于半導體領域，如OLED坩堝、PBN板材/環舟、VGF坩堝、LEC坩堝等的制備
采用*的控制技術，能精密控制BCl3/NH3的流量和壓力，爐膛內沉積氣流穩定，壓力波動小；
全密閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
多通道工藝氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
多級高效尾氣處理系統，能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物，環境友好；
可選配新設計的防腐蝕真空機組，持續工作時間長，維修率低；
適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/BCl3/NH3。
| 參數/型號 | VCVD-0305-BN | VCVD-0608-BN | VCVD-0612-BN | VCVD-0812-BN | VCVD-1120-BN | VCVD-1218-BN | VCVD-1315-BN | VCVD-1520-BN |
| 工作區尺寸 φ×H（mm） | 300×500 | 600×800 | 600×1200 | 800×1200 | 1100×2000 | 1200×1800 | 1300×1500 | 1500×2000 |
| 溫度（℃） | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 |
| 極限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加熱方式 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 |
以上參數可根據工藝要求進行調整，不作為驗收依據，具體以技術方案和協議為準。
結構形式：立式-上出料/下出料
爐門鎖緊方式：手動/自動
爐殼材質：內層不銹鋼/全不銹鋼
保溫材質：碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈
加熱器、馬弗材質：石墨/CFC
熱電偶：C分度號
紅外儀：單比色/雙比色
真空泵：機械泵組/耐腐蝕泵組
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