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產品簡介

性能指標加速電壓:200KV；電子槍：肖特基熱場發射超亮電子槍；TEM點分辨率：0.25nm；TEM信息分辨率:0.12nm；STEM分辨率:0.16nm；樣品傾斜角度X/Y：30；能譜能量分辨率：136ev;元素檢測范圍：B～U元素

詳細介紹

性能指標

加速電壓: 200 KV；
電子槍：肖特基熱場發射超亮電子槍；
TEM點分辨率：0.25 nm；
TEM信息分辨率: 0.12 nm；
STEM分辨率: 0.16 nm；
樣品傾斜角度X/Y：±30°；
能譜能量分辨率：136 ev;
元素檢測范圍：B～U元素。

主要應用

對各種材料內部微結構進行觀察；
粉末、納米顆粒形貌和粒徑觀察；
選區電子衍射和晶體結構分析；
金屬、陶瓷、半導體、塑料、等顯微結構分析；
配合能譜儀可以對樣品元素做面分布分析，以及各種元素進行定性和半定量微區分析，元素檢測范圍：B～U元素；
利用三維樣品桿可以實現TEM、STEM和EDS三維重構。

樣品要求

透射電鏡不能直接觀察所有含有鐵鈷鎳元素的樣品，請做如下處理，否則不予以觀察：粉末樣品請包埋切片，塊體樣品請FIB切片；
透射電鏡能夠觀察200nm以下的樣品；
對于粉末和液體樣品，要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥，能夠區分正反面；
對于塊體樣品，要求樣品大小為直徑3mm的圓，厚度小于200nm；
高分辨樣品要求厚度小于10nm。

儀器說明

FEI Talos F200X 場發射透射電鏡的電子槍為肖特基熱場發射超亮電子槍，STEM 分辨率可以達到0.16nm。
配備4個SDD探頭的超級能譜集成到了透射電鏡的極靴里面，對稱地放在樣品的上方，可以高效率探測到微量元素，以及材料成分在一維，二維，甚至三維空間的分布信息。
Talos F200X 還安裝了STEM明場和暗場探頭，可以同時得到STEM的明場像和暗場像以及髙角環形暗場像（HAADF）。

關鍵詞：能譜儀

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