PECVD 系統（Plasma Enhanced Chemical vapor Deposition）
微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
主要特點
1. 薄膜沉積速率高：采用了甚高頻技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業的*設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業的*設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
5. 選配物料噴射系統，可將原料直接噴射到反應區。
6.號：ZL.0 （產品，防偽必究）。
技術參數
真空管式爐 | 爐管尺寸： | 外徑Φ50×700mm |
極限溫度： | 1200℃ | |
溫度控制器： | PID自動控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器 | |
Z快升降溫速率： | 60℃ | |
加熱區： | 230mm | |
恒溫區： | 100mm | |
溫度精度： | ±1℃ | |
電源： | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計控制系統 | 標準量程： | 100，200SCCM；（以氮氣標定，除以上標準外量程可選） |
準確度： | ±1.5% | |
工作壓差范圍： | 0.1～0.5 MPa | |
Z大壓力： | 3MPa | |
接頭類型： | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統
| 泵體積流量N2： | 33 L/S |
壓縮比： | ≥1011mbar | |
實驗真空值： | ≤10-6mbar | |
功率消耗： | 140W | |
啟動時間： | 2min | |
電源要求： | 185-265V AC | |
射頻電源 | 信號頻率： | 13.56MHz±0.005%W |
功率輸出范圍： | 0-100W | |
Z大反射功率： | 10W |
環保在線