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208C高真空鍍碳儀

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更新時間：2021-07-29 14:43:52瀏覽次數：443次

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產品簡介

208C高真空鍍碳儀英國Cressington Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質量的鍍膜技術

詳細介紹

208C高真空鍍碳儀

英國Cressington

Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質量的鍍膜技術。系統結構緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質量的鍍膜處理。.組件設計方式可方便地對不同優化條件下的各種應用進行切換

主要特性

碳蒸發控制

208C對碳棒－Bradley型碳蒸發源使用*的*集成的反饋控制設計。
電流和電壓通過磁控頭的傳感線監控，蒸發源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發裝置使常規的碳棒具有優良的穩定性和重現性。功率消耗低，碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
蒸發源使用兩步超純碳棒。
蒸發源可以手動“脈沖”或“連續”的方式進行鍍膜。“脈沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監測儀一起使用，可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便，操作者只要設定電壓和時間，可以得到一致的鍍膜效果。

208C 樣品室

技術參數
樣品室大小	直徑150mm 、高度 165mm - 250mm可調
蒸發源	Bradley型 (6.15mm直徑 rods) ，高強度不銹鋼結構
蒸發控制	基于微處理器的反饋回路控制，能夠進行遠程電流/電壓感應，基于真空水平變量的安全互鎖功能，電流180A，提供過流保護
樣品臺	可安裝12個掃描電鏡樣品座高度在60mm范圍內可調旋轉－行星轉動－傾斜樣品臺（選件）
模擬計量	真空, 雙范圍 Atm － 0.001mb ；1 x 10^-3mb－ 5 x 10^-6 mb 電流, 0 - 200A
控制方法	自動蒸發控制，使用程序設定的電壓和時間，自動放氣以脈沖或連續方式進行*手動控制數字定時器（0－30s）數字電壓設置（0.1 to 5.5V）
真空系統
結構	分子渦輪泵/旋片泵組合，無油渦旋式真空泵（選件）
抽真空速度	80 L/s.
抽真空時間	1.5 min至 1 x 10^-4mb
極限真空	5 x 10^-6mb
桌上系統	旋片泵可置于抗震臺上，全金屬真空耦合系統
系統要求
電源	100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz
功率	1200 VA max.