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等離子清洗機采用“Microwave Radical PlasmaSource + RF Bias”配置,可實現高自由基密度及可控的等離子體密度,保證了高的刻蝕速率和低的工藝損傷,滿足PR Strip及工藝中制程高效、低損、高均勻性的要求。
等離子清洗設備配置了全自動化搬運系統,可兼容4、6、8英寸晶圓,可配置4個工藝位,產出率高。靈活的系統配置,適合集成電路客戶的不同應用,可為客戶提供全面的等離子去膠工藝解決方案。此外,等離子清洗設備可根據客戶要求拓展產品功能和PM數量,具備良好的技術擴展性,滿足多種工藝制程的去膠需求。
等離子清洗機的應用
聚合物剝離
金屬剝離
掩膜材料去除
高劑量離子注入后光刻膠去除
碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦生產線光刻膠去除
晶圓表面預處理