晶圓（Wafer）清洗分為濕法清洗和干法清洗，等離子清洗屬于后者，主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。其清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內(nèi)，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應氣體，這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學和物理反應，生成可揮發(fā)性物質(zhì)被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。1 清洗晶圓的等離子清洗機1-1 等離子清洗晶圓是在千級以上的無塵室中進行的，對particle的要求*，任何超標的particle存在，都會造成晶圓不可挽回的缺陷。所以設(shè)計等離子清洗機的腔體首先一定要是鋁質(zhì)，而不是不銹鋼材質(zhì)；擺放晶圓的托架滑動部分，要盡量采用不容易產(chǎn)生粉塵和被等離子腐蝕的材料；電極和托架方便拆卸，便于日常維護。
1-2 等離子清洗機反應腔體內(nèi)的電極間距和層數(shù)，以及氣路分布，對于晶圓處理的均勻性都重大的影響，這些指標都需要不斷試驗來優(yōu)化。1-3 等離子清洗晶圓的過程中，會產(chǎn)生一定的熱量累積，處于工藝的需要，維持電極板的溫度在一定范圍是必要的，所以通常會給等離子清洗機的電極加上水冷。1-4 多層電極的等離子清洗機產(chǎn)能比較高，可以根據(jù)需要每一層托架上擺放多片晶圓，比較適合于半導體分立器件、電力電子元器件4寸及6寸晶圓的光刻底膜去除等。2 晶圓級封裝前處理的等離子清洗機2-1 晶圓級封裝（WLP，Wafer Level Package）是芯片封裝方式之一，即整片晶圓生產(chǎn)完成后，直接在晶圓上面進行封裝和測試，然后把整個晶圓切割開來分成單顆晶粒；電氣連接部分采用用銅凸塊（Copper Bump）取代打線（Wire Bond）的方法，所以沒有打線或填膠工藝。2-2 晶圓級封裝前處理的目的是去除表面的無機物，還原氧化層，增加銅表面的粗糙度，提高產(chǎn)品的可靠性。2-3 晶圓級封裝前處理的等離子清洗機由于產(chǎn)能的需要，真空反應腔體、電極結(jié)構(gòu)、氣流分布、水冷裝置、均勻性等方面的設(shè)計會有顯著區(qū)別。2-4 芯片制作完成后殘余的光刻膠無法用濕式法清洗，只能通過等離子的方式進行去除，然而光刻膠較厚無法確定，所以需要去調(diào)整相應的工藝參數(shù)。
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