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蘇州安而森試驗設備有限公司
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分立器件高溫高濕反偏試驗系統AS-H3TRB-C16 一種用于評估分立半導體器件在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕。 ......
一、設備技術指標
1.1設備名稱：高溫高濕反偏試驗系統
1.2設備型號：AS-H3TRB-C16
1.3內箱尺寸：600 ×850×800 mm (W×H×D)
外箱尺寸：1265×1720×1090 mm (W×H×D)
監控柜：700×1810×1200 mm (W×H×D)
內箱容積 :408L
1.4 溫度范圍：-20℃～+180℃
濕度范圍：10%～98%R.H
1.5 升溫速率：-20℃～+180℃：≥3℃/min（全程平均）
降溫速率：+180℃～-20℃：≥1℃/min（全程平均）
1.6 溫度波動度：≤±0.5℃
濕度波動度：≤±3%RH
1.7 溫度均勻度：≤2.0℃
濕度均勻度：≥75%RH時 均勻度≤±3%RH
≤75%RH時 均勻度≤±5%RH
1.8溫度偏差: ≤±2.0℃
二、試驗能力及電源
2.1試驗能力:電壓1500V，建議試驗溫度175℃。
2.2通道分區：16個老化試驗通道，8個獨立直流電源。每個電源對應2個試驗通道，整機共可同時試驗8個不同規格的器件。
2.3滿載容量:40顆/每通道×16通道＝640顆。（數量）
2.4插板骨架材料：304不銹鋼板材料，高溫下長時間工作不生銹。
2.5使用范圍: 各種封裝二極管、半橋、三極管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR進行高溫高濕反偏試驗（H3TRB）
2.6試驗目的：評估器件在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕。
2.7測試使用標準: GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5；GB/T 2423.3-2006；JESD22-A101C。
2.8試驗線路及試驗方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101 、GJB128A相關標準要求。
三、結構特征
3.1 內箱材質：SUS304#不銹鋼板T=1.2mm，附加整體結構加固。
3.2 外箱材質：雙面鍍鋅鋼板T=1.5mm，表面粉體噴涂處理。
3.3 保溫材質：保溫絕緣層耐燃防火 PU ＋ 隔熱玻璃棉(保溫層厚 100 mm)。
3.4 防汗機件：以冷凍系統高溫回路及薄膜式電熱防止濕氣的凝露或結霜。
3.5 箱 門：全開單翼型附加玻璃觀測窗，帶有雙層硅橡膠密封和門鎖。
3.6 觀測窗口：四層真空玻璃隔熱窗，觀察試品使用,附加13w飛利浦節能照明燈
3.7 測 試 孔：可外接測試電源線及信號用 ( φ100mm一個)
3.8 置 物 架：可活動調整柵盤架與SUS304#不銹鋼條狀柵盤二只(盤架每間格 5.0 cm)
3.9 移動腳輪：采滑輪移動調整擺放位置與強力螺栓固定位置(200Kg / 輪 )
3.10老化板：聚酰亞胺（Polymide）板材，Tg260℃；表面噴涂三防漆。
四、電源方案:
電源方案:16個老化試驗通道，8組直流電源，電源規格如下：（電源規格及數量可選配）
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