大功率IGBT動態參數測試系統-華科智源

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過特制測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。

2、

3、系統基本參數

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz  20A RMS； 

3.2 加熱功能：室溫～150℃； 

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD； 

3.4 環境溫度：25℃±15℃； 

3.5 環境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。

5、感性負載

5.1 有效電感 L   100   200   500  1000 μH；

5.2 大電流 Ic  1000  1000  1000  500 A；

外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標準的雙控制極驅動

6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge+ ： +15V；

6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；

6.5 電壓開關時間： < 50ns；

6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；

7、測量配置

7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MH_Z，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測試參數應包括

8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；

8.8 大功率IGBT動態參數測試系統-華科智源主要測試參數精度偏差 ：< 3 % 。

9、系統保護功能

9.1 有完備的安全控制單元，動態測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。

9.2 有急停按鈕，當急停按鈕被按下時，迅速切斷所有高壓電源。

9.3 系統帶有短路保護功能，在過載時迅速斷開高壓高電流。

9.4 操作系統帶有多級權限。

9.5 系統應配有內置ups，保證計算機系統在電網短時間掉電情況下，為系統供電0.5小時以上，確保系統及數據安全。