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加工定制 | 是 |
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IGBT靜態測試儀參數
參數名稱 | 電壓范圍 | 電流范圍 | 分辨率 | 精度 |
ICES IGESF IGESR | 0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2) | 100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A | 1nA(50pA)(1) | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
BVCES | 0.1V-1000V- 1400V - 1600V | 100μA - 200mA -100mA -50mA | 5mV | 1%+100mV |
VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)(2) | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合參數) | VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V | IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A | 5mV | V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
IGBT靜態測試儀 主要特征簡述:
1、半導體分立器件測試儀產品目前已通過國內兩家計量站的綜合檢測認定。經過與國內其他測試系統對比使用,測試系統在系統硬件的可靠性、穩定性、功率范圍、測試范圍、系統測試精度、測試參數的一致性等多項指標已遠遠超過國內產品。 測試系統目前是國內的半導體分立器件測試測試儀器。
2、作為精密儀器引進項目,系統嚴格按照產品之標準,全部選用優質可靠的元器件。系統嚴格按照檢驗標準進行測試檢驗,確保系統的穩定性和可靠性。所使用的各種繼電器,全部采用國外公司生產的水銀繼電器,從而大大提高了系統的測試速度,提高了系統的使用壽命。
3、服務周到是我公司的優勢之一。選用本系統,我們的服務可以在一小時內答復解決方案,到達用戶現場當天解決系統出現的所有問題。
4、在實際操作中,可真實達到電壓2000V、電流50A的測試條件。在極限值條件下測試,系統同樣保持高精度和良好的重復性、穩定性。。
5、本系統測試原理和方法符合國家相關規范和標準。
6、大功率器件測試采用脈沖法測試,脈沖寬度為規定的300uS。
7、系統硬件設計,升級能力強。為用戶今后做系統升級提供了有力的技術保障。系統硬件支持電壓升級到5000V,電流升級到1250A。
8、系統采用的嵌入式計算機結構,可以實現脫機測試功能。提高了系統的可靠性和使用靈活性。
9、系統和測試夾具全部采用多級開爾文技術,采用無電纜連接設計結構,保證測試結果準確可靠。各種測試夾具均由高級器件插座和高級插頭采用開爾文技術連接裝配,不僅確保長壽命工作,可靠性*,*使用壽命在5X106次以上。使測試數據更加準確無誤。
10、系統具有被測器件引腿接觸自動判斷功能。遇到器件接觸不良時系統自動停止對被測器件測試,可確保被測器件不受損壞。
11、真正的動態跨導測試。(國內其他系統采用直流方法測動態跨導,測試結果與器件實際值偏差很大)。
12、二極管極性自動判別測試功能,不需人工判別極性測試,方便操作。
13、具有單參數測試延時編程功能,用戶可根據不同器件要求選擇延遲時間,增強參數測試穩定性。
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