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鄭州科佳電爐有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產品型號KJ-T1200-S60K-4C
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更新時間：2022-09-01 17:49:11瀏覽次數：213次
聯系我時，請告知來自 環(huán)保在線產品介紹：KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成，溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節(jié)可以是質子流量計，可以對多種氣體進行精確的混氣，然后導入到管式爐內部
產品介紹：
KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節(jié)可以是質子流量計，可以對多種氣體進行精確的混氣，然后導入到管式爐內部。
KJ-T1200-S60K-4C系列快速退火爐爐管兩端安裝真空法蘭，真空度用分子泵可以到10-5Torr，機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加熱和冷卻速率可達100°C/m。為取得加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到10°C/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。
應用范圍：
化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應用廣泛的用來沉積薄膜材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。
規(guī)格參數：
| 產品名稱 | 四路高溫真空CVD設備 | |
| 產品型號 | KJ-T1200-S60K-4C | |
| 工作溫度 | 1100°C | |
| 溫度 | 1200°C | |
| 加熱速率 | 建議：0- 10°C/min {：0-20℃/min} | |
| 加熱區(qū) | 三溫區(qū) | |
| 加熱區(qū)長度 | 200+350+200mm | |
| 控溫精度 | ±1°C | |
| 爐管直徑 | OD60mm | |
| 爐管長度 | 大約1200mm-1400mm | |
| 真空法蘭 | 兩個不銹鋼密封法蘭，法蘭上已經安裝數字式真空顯示計，和閥門通過機械泵真空壓力可以達到5x10-2 torr，泄漏率6 mtorr/min | |
| 溫控 | 智能PID多段程序控溫 | |
| 加熱曲線 | 30段可編程 | |
| 功率 | 4KW | |
| 電壓 | 220V，50HZ，單相 | |
| 質子流量計 | 4路精密質子流量計：數字顯示、氣體流量自動控制。 MFC 1范圍: 0~100 sccm MFC 2范圍: 0~200 sccm MFC 3范圍: 0~200 sccm MFC 4范圍: 0~500 sccm 氣路:4路 流量精度: 0.2% 進氣和出氣接口: 1/4" 卡套 一個混氣罐。 每路氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制。 通過控制面板上的旋鈕來調節(jié)氣體流量。 | |
標準配件：
質子混氣系統1臺、雙旋機械泵1臺、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個、氫氣檢漏器1個、說明書1份
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