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美國KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 廣泛應用于離子束刻蝕機.
RFICP 380型美國KRI大口徑射頻離子源產品特性介紹如下：
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結構模塊化設計
3. 離子光學, 自對準技術, 準直光束設計, 自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用
RFICP 380型美國KRI大口徑射頻離子源技術規格：
陽極 | 電感耦合等離子體 |
最大陽極功率 | >1kW |
最大離子束流 | > 1000mA |
電壓范圍 | 100-1500V |
離子束動能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-50sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學, 自對準 | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 38cm Φ |
柵極材質 | 鉬 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 or RFN |
高度 | 38.1 cm |
直徑 | 58.2 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 12"CF |
美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.
作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
東莞市廣聯自動化科技有限公司專業供應進口電磁閥、氣缸、泵、傳感器、繼電器、開關、離合器、過濾器、濾芯、流量計、液位計、編碼器、伺服閥等產品。德國美國有公司，廠家一手貨源，詳請致電。
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