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TKZM-14智能脈沖控制儀TKZM-16，DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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產(chǎn)品型號(hào)TKZM-10

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更新時(shí)間：2016-06-12 14:20:30瀏覽次數(shù)：323次

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  脈沖控制儀

TKZM-04，TKZM-06，TKZM-08

TKZM-16，TKZM-18，TKZM-20

TKZM-10，TKZM-12，TKZM-14

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西安慶成機(jī)電設(shè)備有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：200條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：何小南（經(jīng)理助理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

本設(shè)備由我公司和*材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合研制，設(shè)備由沉積室、渦輪分子泵抽氣系統(tǒng)、上下電極、氣路系統(tǒng)、射頻電源和溫控系統(tǒng)以及設(shè)備控制系統(tǒng)等。
TKZM-14智能脈沖控制儀TKZM-16，DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

詳細(xì)介紹

DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

本設(shè)備由我公司和*材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合研制，設(shè)備由沉積室、渦

輪分子泵抽氣系統(tǒng)、上下電極、氣路系統(tǒng)、射頻電源和溫控系統(tǒng)以及設(shè)備控制系統(tǒng)等。

　　主要用于制備氧化鋅納米線陣、太陽(yáng)能薄膜電池、SiO2鈍化膜、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。

TKZM-14智能脈沖控制儀TKZM-16，DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)：

◆沉積室：Φ350mm×H400mm,立式前開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，旁抽氣系統(tǒng)，腔體水冷；

◆TKZM-14智能脈沖控制儀TKZM-16，DH-350 PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備基片臺(tái)尺寸：Φ100mm，旋轉(zhuǎn)加熱，室溫至600℃可調(diào)可控，溫差≤3℃；

◆基片臺(tái)運(yùn)動(dòng)：轉(zhuǎn)速0～20RPM/min、磁流體密封；

◆電源：射頻電源500W，13.560MHZ；配自動(dòng)匹配器；

◆真空系統(tǒng)：分子泵高真空系統(tǒng)，從大氣抽到10-3Pa小于或等于20分鐘；

◆進(jìn)氣系統(tǒng)：四路質(zhì)量流量計(jì)配混氣室；