RST5210F型電化學工作站是在RST5200F型的成熟基礎上增加四探針電阻率測試方法而來。該測試方法是檢驗和分析導體和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校及各類科研部門。
四探針電阻率測試方法與電化學工作站中的其他方法一樣，軟件界面友好、參數(shù)設置簡單明了。啟動測試后，儀器按設定的參數(shù)自動連續(xù)采集數(shù)據(jù)，在屏幕上實時顯示電阻-時間曲線。測試結(jié)束后，根據(jù)電阻形態(tài)參數(shù)自動換算成電阻率及電導率，無需人工計算。配備的專用電化學工作站軟件在電腦上運行，可隨時顯示、保存、打印數(shù)據(jù)和圖形，以備存查。
本方法的設置參數(shù)有：電阻形態(tài)及尺寸、探針形狀及間距、激勵電流及可測電阻范圍、預熱時間、樣點間隔、樣點數(shù)量、被測器件電動勢等。
測試工具可根據(jù)被測產(chǎn)品及測試項目的要求選購，配置不同的測試工具可滿足不同材料的測試要求。
本儀器的四探針電阻率測量方法適用于分立電阻、線狀電阻、面狀電阻、塊狀電阻、直流器件內(nèi)阻。也就是說，可測量導體及半導體材料的軸向電阻率、徑向電阻率、擴散層薄膜電阻率。本儀器具有自動電位扣除功能，因此可測量含源直流器件內(nèi)阻。
電阻形態(tài) | 例子 |
分立電阻 | 各種類型電阻器件 |
線狀電阻 | 銅線、銅棒、鋁線、鋁棒、鐵絲、導電性纖維 |
面狀電阻 | 導電覆蓋膜、ITO導電膜玻璃、金屬化標簽、半導體外延層擴散層、 觸屏薄膜、合金類箔膜、電極涂料導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜 |
塊狀電阻 | 金屬方塊電阻、金屬圓塊電阻、半導體材料晶塊、半導體材料晶圓、 導電橡膠、導電性塑料、導電性陶瓷、導電性糊狀物 |
直流器件內(nèi)阻 | 鋰離子電池、鉛酸蓄電池、干電池、鈕扣電池 |
主要技術(shù)指標：
儀器架構(gòu)：恒電位儀、恒電流儀、交流阻抗頻譜儀 | 電流測量精度：滿量程的0.1% |
接地模式：可根據(jù)體系要求設置成實地模式或浮地模式 | 電流測量低通濾波器：自動或手動設置 |
槽壓：±15V(可擴展至±22V或±30V) | 方波伏安法頻率：1Hz~100kHz |
電位掃描范圍：±12.8V | 交流伏安法頻率：0.1Hz~10kHz |
CV最小電位增量：0.0125mV | 交流阻抗譜頻率:0.00001Hz～1MHz（11個頻段） |
電位控制精度：<±0.5mV | 正弦波幅度:0.01mV～12V |
電位控制噪聲：<0.01mV | CA和CC脈沖寬度：0.1mS～1200S |
電位上升時間：<0.00025mS | DPV脈沖寬度：0.05mS～64S |
電位測量零位：自動校正 | IR降補償：自動或手動設置（10Ω~1MΩ） |
電位更新及阻抗采集速率：10MHz | 多階躍循環(huán)次數(shù)：1000次 |
電位測量低通濾波器：自動或手動設置 | 限壓反饋恒流換向時間：<0.1mS |
電位測量精度：滿量程的0.1% | 恒流限壓循環(huán)周期：0.1S~100000S |
掃描速度：0.000001V/S～20000V/S | 脈沖電鍍//最小脈寬：八相脈沖可正可負//0.05mS |
參比電極輸入阻抗//電容：>1013Ω//<10pF | 電池全容量充電工步：激活、恒流、恒壓、涓流 |
恒電流輸出 ：±500mA | 雙通道高速ADC:18bit@1Msps |
輸入偏置電流：<0.1pA | 數(shù)據(jù)長度：20，000，000點 |
電流測量分辨率：電流量程的0.00076%，最小0.2fA | 通氮攪拌及敲擊控制輸出：二路開關(guān)量信號（+5V/10mA） |
電流測量零位：自動校正 | 擴展輸出：二路光電隔離數(shù)字量信號 |
電流測量量程：1pA～500mA(25檔) | 儲能電化學測量保護模式：極性、電壓、電流、時間、鏈路 |
前置放大倍數(shù)：5×10×100 | 電極智能柔性保護 ：電壓超載、電流超載 |
電流測量靈敏度：1×10-12A/V | 與RSRSMART儀器聯(lián)機，綜合軟件同步運行，實現(xiàn)毛細管電泳及電化學發(fā)光檢測。 |
主要測試方法：
線性掃描伏安法LSV | 單電位階躍計時電流法CA |
線性掃描溶出伏安法 | 單電位階躍計時電量法CC |
線性掃描循環(huán)伏安法LCV | 多電位階躍計時電流法 |
階梯伏安法SV | 多電位階躍計時電量法 |
階梯溶出伏安法 | 單電流階躍計時電位法CP |
階梯循環(huán)伏安法SCV | 多電流階躍計時電位法 |
方波伏安法SWV | 恒電位電解I-T曲線 |
方波溶出伏安法 | 恒電位電解Q-T曲線 |
方波循環(huán)伏安法SWCV | 恒電位溶出I-T曲線 |
差示脈沖伏安法DPV | 恒電位溶出Q-T曲線 |
差示脈沖溶出伏安法 | 開路電位E-T曲線OCPT |
常規(guī)脈沖伏安法NPV | 電位溶出E-T曲線 |
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV | 控制電流E-T曲線 |
差分脈沖電流檢測 | 控制電位電解庫侖法 |
雙差分脈沖電流檢測 | 鍍錫量測定 |
三脈沖電流檢測 | 塔菲爾圖Tafel |
積分脈沖電流檢測 | 環(huán)形掃描 |
脈沖電鍍法 | 點蝕電位 |
電鍍電位監(jiān)測 | 電偶腐蝕 |
流體力學調(diào)制伏安法 | 電化學噪聲測量 |
交流伏安法ACV | 氯離子濃度監(jiān)測 |
交流溶出伏安法 | 宏電池電流監(jiān)測 |
交流循環(huán)伏安法ACCV | 半電池恒流陽極極化 |
二次諧波交流伏安法 | 半電池恒流陰極極化 |
傅里葉變換交流伏安法 | 半電池恒流循環(huán)極化 |
電流掃描計時電位法 | 電池恒流充電 |
交流阻抗譜EIS | 電池恒流放電 |
交流阻抗-電位 (阻抗模-電位、輻角-電位、Mott-Schottky) | 電池恒流循環(huán)充放電 |
交流阻抗-時間 | 電池全容量分段充電 |
微分電容-電位 | 電池全容量分段放電 |
微分電容-頻率 | 恒流限壓快速循環(huán)充放電 |
高阻電位計 | 零阻電流計 |
器件電阻電源內(nèi)阻測量 | 四探針方塊電阻測量 |
線狀材料電阻率測量 | 刀型探頭方塊電阻測量 |
環(huán)保在線