瞬態熱阻測試-功率老化-第三方檢測中心
高溫反偏試驗(HTRB)
執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度 150℃;電壓 5000V;
高溫柵偏試驗(HTGB)
執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度 150℃;電壓 100V;
高溫高濕反偏試驗(H3TRB)
執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;
試驗能力:溫度85℃,濕度范圍:25%~95%,電壓 4500V;
功率老煉測試
試驗對象:IGBT、TVS、壓敏電阻VDR;
試驗能力:檢測 電壓:4500V,檢測 電流:200A
間歇壽命試驗(IOL)
執行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗對象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;
檢測能力:ΔTj≧100℃ 電壓 60V,電流 50A。
功率循環試驗(PC)
執行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;
試驗對象:IGBT模塊;
檢測能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A;
熱阻測試(Riath)
執行標準:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;
試驗對象:各類二極管;
試驗能力:瞬態熱阻、穩態熱阻
瞬態熱阻測試-功率老化