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北京卓立漢光儀器有限公司
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OPTM 系列顯微分光膜厚儀使用顯微光譜法在微小區域內通過反射率進行測量，可進行高精度膜厚度/光學常數分析。可通過非破壞性和非接觸方式測量涂膜的厚度，例如各種膜、晶片、光學材料和多層膜。 測量時間上，能達到1秒/點的高速測量，并且搭載了即使是初次使用的用戶，也可容易出分析光學常數的軟件。
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 測定時間 | 1秒 / 1點 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小約5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規格 | 氘燈+鹵素燈 | 鹵素燈 | |
| 電源規格 | AC100V±10V 750VA（自動樣品臺規格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動樣品臺規格之主體部分) | ||
| 重量 | 約 55kg（自動樣品臺規格之主體部分） | ||
測量項目：
測量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導體晶體管通過控制電流的導通狀態來發送信號，但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精確的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。
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