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北京中科復華科技有限公司
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當前位置:北京中科復華科技有限公司>>鍍膜設備>>化學氣相沉積>> PECVD-601/801/1201化學氣相沉積(PECVD)

化學氣相沉積(PECVD)

參  考  價:10 - 280 /臺
具體成交價以合同協議為準
  • 型號

    PECVD-601/801/1201

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質

    生產商

  • 所在地

    北京市

更新時間:2025-05-16 16:10:34瀏覽次數:374次

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產地 國產
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法

應用方向:科研與教學

產品優勢: 高性能薄膜制備

產品配置:

樣片數量及尺寸:1片Ф6英寸

沉積材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅鍺合金(SiGe)、鎢硅合金(WSi2)、W、SiC。

沉積腔體:高真空系統

沉積不均勻性:±3%-±6%

沉積速率:20-600nm/min(視具體材料與工藝)

工作臺:可升降,高度可調

加熱:常規加熱,可選高溫加熱

電源配置:射頻;直流偏壓

氣路數量與種類:標配4路氣路 或 用戶選配

光學性能監測:可選配橢偏儀在線監測系統

漸變折射率薄膜制備:可選配快速流量變化與控制系統

操作模式:全自動+半自動控制

類似產品:帶預真空室(PECVD-8100)





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