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當前位置:北京中科復華科技有限公司>>鍍膜設備>>化學氣相沉積>> PECVD-601/801/1201化學氣相沉積(PECVD)
應用方向:科研與教學
產品優勢: 高性能薄膜制備
產品配置:
★樣片數量及尺寸:1片Ф6英寸
★沉積材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅鍺合金(SiGe)、鎢硅合金(WSi2)、W、SiC。
★沉積腔體:高真空系統
★沉積不均勻性:±3%-±6%
★沉積速率:20-600nm/min(視具體材料與工藝)
★工作臺:可升降,高度可調
★加熱:常規加熱,可選高溫加熱
★電源配置:射頻;直流偏壓
★氣路數量與種類:標配4路氣路 或 用戶選配
★光學性能監測:可選配橢偏儀在線監測系統
★漸變折射率薄膜制備:可選配快速流量變化與控制系統
★操作模式:全自動+半自動控制
類似產品:帶預真空室(PECVD-8100)
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