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光源發射器 EMG 德國LLS 1075/01 原裝

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更新時間:2024-09-11 09:06:52瀏覽次數:779次

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袁可欣

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光源發射器 EMG 德國LLS 1075/01 原裝
由光源(激光器或發光二極管)及其驅動電路(有時也加監控或其它電路)組成的具有光發射功能的混合集成模塊或單片集成組件

光源發射器 EMG 德國LLS 1075/01 原裝

簡介

由光源(激光器或發光二極管)及其驅動電路(有時也加監控或其它電路)組成的具有光發射功能的混合集成模塊或單片集成組件。驅動電路必須提供足夠的電流,因此要求搭配大電流的電器件。光發射器制作的關鍵問題是降低激光器的閾值電流。GaAs系量子阱(QW)激光器閾值電流為毫安量級,GaAs MESFET(金屬特基勢壘場效應管)可提供符合要求的驅動電流,已有GaAs系光發射器集成。但適合1.3μm,1.5μm波長光纖通信發送電路用的InP系激光器(不論是異質結構還是量子阱結構),閾值電流還較高,達十幾毫安,只制成了混合集成系列光發射器模塊。單片集成的電器件很不成熟,工藝難度很大。對MISFET(金屬-絕緣體-半導體場效應管)、JFET(結型場效應管)或異質結雙極晶體管(HBT)進行了實驗。將它們和激光器集成在InP基片上的工藝兼容性還有許多問題尚待解決。
此外,研究最多的是發射波長為1.55μm的帶穩頻的波長可調諧的分布反饋激光器列陣,它是頻分復用及相干光通信系統迫切需要的光發射器集成組件

發射器類型

最適宜制作各種短波長和長波長激光器的GaAs和InP材料,同時又是制作微波晶體管等高速電子線路以及雪崩光電二極管(APD)等高速光電探測器的良好材料。OEIc繼承了GaAs和IoP集成電路的高速性和光電器件的功能性,因而具有更強的功能和突出的*性。由于在Ga人s襯底上已經得到了性能優良的結型探測器、激光器(LD)和場效品體管F(ET),并且制作工藝也較成熟。1978年Ya:vi實驗室在GaAs襯底上實現了GaAIAs激光器和一個耿氏(Gu,In)器件的集成。此后許多實驗室相繼做出了各種結構的OEIC,文實現了LD/F(ET)的集成,得到了光電探測器與FET的集成和中繼器的單片集成。OEIC具有許多*性。它不僅由于集成了光電的多功能性,而且降低了寄生電容和寄生電感而極大地提高了速度,降低了噪聲。另外,多元件的單片集成減少了系統結構所需要的元件數目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同時也減小了功耗。自1969年Millc:等191提出“集成光學”的概念以來,主要沿著兩個方向發展,一個方向是OEIC。另一個方向是集成光路(OIC)它是在一塊固體基片上,把光學元、器件集成一體,使之成為具有某種高級功能的光回路。l[前主要是在具有強光電效應的LINbO3(泥酸銼),錯體上集成。但期望的是在G。A、和nIP襯底上制做光學元、器件,從而制作具有更強功能的OEIC。

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伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P

光源發射器 EMG 德國LLS 1075/01 原裝

OEIC的發展將使超大容量光通信、超高速信息處理、高精度測距等一系列領域產生質的飛躍。目前,國際上已經設計制作了多種結構的OEIC發射器(包括LD或LED、驅動電路和監控電路)、中繼器(包括LD、晶體管放大器、光電探測器)和接收器(包括光電探測器和低噪聲前置放大器)。從目前情況來看,GaAs光電子集成發射器最有希望早日達到實用化程度。通過近幾年來對OEIC的探索與研究,關于它的可能應用前景已越來越明朗了,所涉及的領域將是非常廣泛的,譬如超高速計算機內各芯片及各功能片之間的連接、計算機網、長途高速率光纖通信(對于GaAs系列可以用于光纖通信系統的局部網)、光纖傳感和未來的光計算機等等。

 

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