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LIC 1375/01 EMG 高頻光源發射器現貨

用于將電信號轉成光信號并耦合進光纖的設備光發射機的作用是將從復用設備送來的HDB3信碼變換成NRZ碼；接著將NRZ碼編為適合在光纜線路上傳輸的碼型；最后再進行電/光轉換，將電信號轉換成光信號并耦合進光纖。

光發射機由輸入接口、光源、驅動電路、監控電路、控制電路等構成，其核心是光源及驅動電路。在數字通信中，輸入電路將輸入的信號（如PCM脈沖）進行整形，變換成適于線路傳送的碼型后通過驅動電路光源，或者送到光調制器調制光源輸出的連續光波。為了穩定輸出的平均光功率和工作溫度，通常要設置一個自動的溫度控制及功率控制電路。

我們都知道，信息的處理都是在電的領域內完成的，在光纖通信中，我們必須把電信號轉變成光信號，這樣才能在光纖上傳播。在光纖通信系統中，信息由LED或LD發出的光波所攜帶，光波就是載波，把信息加載到光波上的過程就是調制。光調制器就是實現從電信號到光信號的轉換的器件。

調制方式通常分為兩大類，即模擬調制和數字調制。

LIC 1375/01 EMG 高頻光源發射器現貨

MAIN CONTROLLER主控制器:主控制箱 SPC 16.029+/ST05630 EMG

LIC 1375/01 EMG

EMG Bus 02-1.2 T-NR :133003

EMG Card PDP 01.1

EMG LIC1075/11光源發射器

EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發射器

EMG LIC770/01 光源發射器

EMG LIC1075/01 光源發射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥

EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥

EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/4/100/6伺服閥

EMG SV1-10/8/100/6伺服閥

EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥

EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6

EMG傳感器CCD pro-5000

EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥

EMG SV1-10/16/315/6伺服閥

SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器

伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P

傳感器 SMI 1-53

BMI4/60/80 傳感器

EMG SV1-10/48/315/6伺服閥

EMG SV1-10/32/100/6伺服閥

EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723

EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723

模擬調制又有兩類，一類是用模擬基帶信號直接對光源進行強度調制（D－IM）；另一采用連續或脈沖的射頻（RF）波作為副載波，模擬基帶信號先對它的幅度、頻率或相位等進行調制，再用該受調制的副載波去強度調制光源。模擬調制的優點是設備簡單，占有帶寬較窄，但它的抗干擾性能差，中繼時噪聲累積。

數字調制是光纖通信的主要調制方式，將模擬信號抽樣量化后，以二進制數字信號“1"或“0"對光載波進行通斷調制，并進行脈沖編碼（PCM）。數字調制的優點是抗干擾能力強，中繼時噪聲及色散的影響不積累，因此可實現長距離傳輸，它的缺點是需要較寬的頻帶，設備也復雜。

按調制方式與光源的關系來分，有直接調制和外調制兩種。前者指直接用電調制信號來控制半導體光源的振蕩參數（光強、頻率等），得到光頻的調幅波或調頻波，這種調制又稱內調制；后者是讓光源輸出的幅度與頻率等恒定的光載波通過光調制器，光信號通過調制器實現對光載波的幅度、頻率及相位等進行調制，光源直接調制的優點是簡單，但調制速率受到載流子壽命及高速率下的性能退化的限制（如頻率啁啾等）。外調制方式需要調制器，結構復雜，但可獲得優良的調制性能，尤其適合于高速率下運用。

按被調制光波的參數分：強度調制、相位調制、偏振調制等。

光纖通信中應用最多的是光源的基帶直接強度調制、副載波強度調制及數字調制，高速率時采用外調制。

LIC 1375/01 EMG 高頻光源發射器現貨

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。

photoconductive detector 利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

EMG LS13.01測量光電傳感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器

EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG

LS14.01 EMG 測量光電傳感器

EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高頻報警光發射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 對中光源發射器

EMG LID2-300.2C 對中光源發射器

EMG LLS 1075 線性光源發射器

EMG LLS 1075/01 線性光源發射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 線性光源發射器

EMG LLS 675/01 線性光源發射器

EMG 線性光源發射器 LLS875/01

EMG對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 線性光源發射器

EMG LIC1075/11光源發射器

EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發射器

EMG LIC770/01 光源發射器

EMG LIC1075/01 光源發射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英國W·史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能，就能夠產生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得： λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質能級的離化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研制成功,并進入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成響應波長為 8～14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測器相比有如下優點：

工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數大,樣品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。