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紅寶石兩探針頭（兩探針電阻率測試儀配件）間距1.59mm探針合力4～10N
型號：GDSKDT-9

貨號：ZH463

產品簡介
一、特點
1、使用幾何尺寸精確的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
4、量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
1、測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、方形四探針…………… 1.00mm
3、直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術指標
1、游移率
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、間距偏差
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*………… ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）    1牛頓（N）=101.97克
6、針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

紅寶石兩探針頭（兩探針電阻率測試儀配件）間距1mm探針合力4～6N
型號：GDSKDT-8

貨號：ZH462

紅寶石三探針頭間距0.5mm探針合力5～8N
型號：GDSKDT-11

貨號：ZH465

紅寶石探針頭（四探針電阻率測試儀配件） AA*（間距：1.59mm）
型號：GDSKDT-6

貨號：ZH459

產品簡介
一、特點
1、使用幾何尺寸精確的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
4、量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
1、測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、方形四探針…………… 1.00mm
3、直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術指標
1、游移率
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、間距偏差
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*………… ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）
                        1牛頓（N）=101.97克
6、針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

紅寶石探針頭（四探針電阻率測試儀配件） A*（間距：1.59mm）
型號：GDSKDT-6

貨號：ZH458

產品簡介
一、特點
1、使用幾何尺寸精確的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
4、量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
1、測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、方形四探針…………… 1.00mm
3、直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術指標
1、游移率
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、間距偏差
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*………… ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）
                        1牛頓（N）=101.97克
6、針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

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