四探針電阻率/方阻測試儀（靈敏度：10μV）/
型號：GDS/KDY-1

嚴格按照硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）及標準設計制造，并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進
是用來測量半導體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架及四探針頭組成。
本儀器的特點是主機配置雙數字表，在測量電阻率的同時，另一塊數字表（以之幾的精度）適時監測程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉換，及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關，在測量某些箔層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生，好地保護箔膜。儀器配置了本公司的產品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測量電阻率的重復性和準確度。本機如加配HQ-710E數據處理器，測量硅片時可自動進行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習庋。給測量帶來很大方便。
2、主機技術能數
（1）測量范圍：
可測電阻率：0.0001～19.9999cm
可測方塊電阻：0.0001～1000Ωcm
（2）恒流源：
輸出電流：DC 0.001～100mA 五檔連續可調
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：檔均低于±0.05%
（3）直流數字電壓表：
測量范圍：0～19.999mV
靈敏度：1μV
基本誤差：±（0.004%讀數+0.01%滿度）
輸出電源：≥1000ΩM
（4）供電電源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
（5）使用環境：
溫度：23±2℃ 相對濕度：≤65%
較強的電場干擾，強光直接照射
（6）重量、體積：
主機重量：7.5kg
體積：365×380×160（單位：mm 長度×寬度×高度）
 

四探針手動測試架 測單晶棒用
型號：GDSKDJ-1B

測單晶棒用，豎測高度：500（mm）樣品臺面：300×320（mm）

四探針電阻率測試儀-紅寶石探針頭 B級（間距：1.0mm）
型號：GDSKDT-1

產品簡介
一、特點
1、 使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、 控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、 采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
4、 量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
1、 測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術指標
1、 游移率  
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 間距偏差 
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、 探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、 探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）    
                        1牛頓（N）=101.97克
6、 針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

四探針電阻率測試儀-紅寶石探針頭 *（間距：1.0mm）
型號：GDSKDT-1

產品簡介
一、特點
1、 使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、 控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、 采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
4、 量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
1、 測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術指標
1、 游移率  
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 間距偏差 
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、 探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、 探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）    
                        1牛頓（N）=101.97克
6、 針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

四探針電阻率測量系統微控制器及配套軟件（含通訊）
型號：GSKDY

   GSKDY測量系統微控制器及配套軟件于硅晶體的電阻率測量，集多種測量方法為一體，是與電阻率測試儀配套使用，自動獲取電壓讀數，計算并修正電阻率值，數據自動保存，快速查詢，提供打印及導出格式，操作簡單，方便可靠。

測量系統（含通訊）設計語言：VC++
可對四探針、兩探針電阻率測量數據進行處理并修正測量數據，特定數據存儲格式，顯示變化曲線兼容性：適用于電腦，支持 Windows XP、Vista，