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QUANTUM量子科學儀器貿易（北京）有限公司
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太赫茲（THz）光源波長較大，一般在300微米左右。由于衍射極限的存在，THz遠場測量系統的光學空間分辨率一般被限制在150微米左右。該THz光遠場測量結果的準確度經常無法滿足對材料科學研究，尤其是需要納米分辨率的微細尺度材料分布研究（例如半導體芯片中各個組成：源極，漏極，柵極）的實驗。太赫茲近場光學顯微鏡（THz-NeaSNOM）的出現為此難題提供了一個很好的解決方案。
太赫茲近場光學顯微鏡 THz-NeaSNOM
---30nm光學信號空間分辨率
產品簡介：
太赫茲（THz）光源波長較大，一般在300微米左右。由于衍射極限的存在，THz遠場測量系統的光學空間分辨率一般被限制在150微米左右。該THz光遠場測量結果的準確度經常無法滿足對材料科學研究，尤其是需要納米分辨率的微細尺度材料分布研究（例如半導體芯片中各個組成：源極，漏極，柵極）的實驗。THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡的出現為此難題提供了一個很好的解決方案。
德國neaspec公司與Fraunhofer IPM在neaspec公司neaSNOM近場光學顯微鏡的基礎上，已經成功研發了一套易用使用且THz系統的空間分辨率達到30nm的實驗設備。
THz-NeaSNOM主要技術參數與特點：
|
| +優于30nm的空間分辨率 |
應用案例：
THz-NeaSNOM 30nm空間分辨率
THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡（下圖左）對半導體結構的測量結果圖。
該結果表明硅襯底（上圖左，灰色）上的SiO（一氧化硅）的尺寸大約在1.5×1 平 方微米。通過分析左側的高度數據，可以知道該一氧化硅結構僅僅只有大約22納米厚度。雖然該層狀結構非常薄，但THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡（下圖左）在測量高度的同時仍然能夠記錄該結構與襯底的近場光學信號的明顯不同襯度的結果。該THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡不僅在測量非常薄樣品的時 候靈敏度非常高，而且通過分析近場光學信號數據（下圖右）也證實了它超高的空間分辨率（~25-30nm）。
表征半導體器件 Nature 456,454(2008) |
超快機制研究納米線 Nature Photonics 8,841(2014) |
測試數據
表征半導體器件 Nature 456,454(2008)
超快機制研究納米線 Nature Photonics 8,841(2014)
用戶單位
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neaspec公司產品以其穩定的性能、*的空間分辨率和良好的用戶體驗，得到了國內外眾多科學家的認可和肯定......
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